flash-memory

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我正在寫一個固件到一個STM32F103RCT6微控制器，根據數據表有一個閃存爲256KB。由於我的一個錯誤，我在寫一些數據在0x0807F800那根據參考手冊是高密度設備的最後一頁。（參考手冊不區分存儲器佈局上不同大小的「高密度設備」）我寫的數據正在被讀取而沒有錯誤，所以我做了一些測試並讀取/寫入了512KB隨機數據的並比較文件和它們匹配！ files hash pic 我做了一些研究，我

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大量的讀/寫操作是否會損壞閃光燈本身？

在嵌入式微控制器（如STM32/ESP/ARM）中，如果外部閃存上的I/O較高，那麼是否存在劣化問題？我說的是着名的4Mb/8Mb/16Mb QSPI閃存，其中的代碼通常也駐留在那裏。假設每隔30秒我要寫一個int例如我整天都這樣做，閃光燈遲早會死嗎？在這種情況下，什麼是能夠承受高IO的嵌入式系統的最佳硬件？什麼是解決方法？

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使用U-boot刷新SD卡圖像

我有我的樹莓pi零，在開發過程中，我花了很多時間彈出注入SD卡並重新刷新它。 SD卡映像是在Buildroot中準備的，因此它包含具有內核的引導分區，設備樹疊加層以及使用rootfs分區。有更簡單的方法來重新刷新SD卡？例如通過網絡？我知道U-boot可以通過tftp加載內核，但是如果我不僅需要內核，還需要整個映像（設備樹疊加非常重要）？

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沖洗數據庫意味着什麼？另外用「flash」

我想知道「flush」和「flash」的含義和它們之間的區別。

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在IAR Workbench上加載閃存加載器失敗

我正在IAR Workbench平臺V7.70.1上工作，我試圖下載一個簡單的代碼（一個簡單的代碼（只有一段時間（1）），但我不是成功下載處理器上的代碼。我使用STM公司的NUCLEO-F401RE，基於處理器STM32F401RE。我正在以下消息： Failed to load flash loader: C:\Program Files\IAR Systems\Embedded Workben

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微控制器中的閃存讀取訪問

我使用rh850微控制器和編譯器綠色山丘。在這個控制器中對閃存的訪問是針對一個彙編指令ld.b.寫訪問需要更多指令和時間（幾次訪問特定地址）。是否有微控制器沒有直接讀取閃存？

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dd命令是否會跳轉emmc的壞塊？

在emmc flash上，當我們使用dd命令時，它會跳轉壞塊嗎？我發現這個鏈接：並請留意它的「第5步」：這一步將它寫零破壞該塊上的數據。壞塊將被恢復，但文件的數據將丟失。如果你確定，你可以通過以下幾個步驟進行： root]# dd if=/dev/zero of=/dev/hda3 bs=4096 count=1 seek=2269012 root]# sync 爲什麼DD可以

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如何刪除C中的多個Flash地址？

我試圖擦除stm32l011k4中的Flash地址。我的代碼就是這樣; #define SLAVE_ID_ADDR_I 0x08080001 #define SLAVE_ID_ADDR_II 0x08080002 #define SLAVE_ID_ADDR_III 0x08080003 #define MASTERID 0x0808000

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在STM32的OTP中寫入64位數據

我試圖在STM32L4芯片的存儲器閃存中寫入數據。這將在編程上下文中完成，其中我使用C調用ST-Link實用程序命令行。所以這裏是閃存的一個例子： 0 4 8 C 0x1FFF7000 FFFFFFFF FFFFFFFF FFFFFFFF FFFFFFFF 到目前爲止，我已經能夠只寫32位在64位數據空間： 0 4 8 C 0x1FF

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爲Windows上的單元測試（Visual Studio框架）模擬或模仿Flash（EEPROM）

我正在爲嵌入式系統上的閃存創建硬件模擬（大約6Mb）。模擬將完全用於Windows和Visual Studio Cpp單元測試框架的單元測試。我想知道什麼是最好的辦法呢？我應該在硬件上創建一個具有閃存大小的文件（txt或binary）。或者，也許在RAM上創建一個具有該大小的數組（或帶有存儲塊的結構）。