寫入組合：避免在寫入之前讀取哪條緩存行？

Question

關於非臨時寫和寫結合的技術，我已經將它寫在

總結如下代碼

void setbytes(char *p, int c) 
{ 
__m128i i = _mm_set_epi8(c, c, c, c, 
c, c, c, c, 
c, c, c, c, 
c, c, c, c); 
_mm_stream_si128((__m128i *)&p[0], i); 
_mm_stream_si128((__m128i *)&p[16], i); 
_mm_stream_si128((__m128i *)&p[32], i); 
_mm_stream_si128((__m128i *)&p[48], i); 
} 

從here

拍攝，該代碼序列不僅避免在讀取高速緩存 線被寫之前，它也避免了污染緩存，這可能不是可能很快就需要 數據。這在 某些情況下可以有很大的好處。

我的問題是：避免其高速緩存行寫？用於存儲i變量或p指針指向的緩存行的內容的緩存行（之後會被修改）？

Answer 1

約：「避免在讀取高速緩存行之前，它被寫入」

這種說法是指「寫分配」政策，用於處理命中緩存寫入。所有現代的x86處理器都這樣做。它是這樣的：軟件使用正常的mov指令寫入內存。如果該地址已經被緩存，則緩存被更新並且根本沒有DRAM存取。但是，如果數據不在緩存中，則處理器從DRAM中讀取該緩存行。然後，來自mov指令的數據被合併到緩存中的數據中。處理器將盡可能延遲將數據寫回DRAM。最終結果是違反直覺的：軟件執行寫入（mov）指令，並且產生單個DRAM讀取（突發）。如果重複這種模式，緩存將最終變滿，並且需要逐出才能爲讀取留出空間。在這種情況下，將會有一個不相關的緩存行地址的DRAM寫入突發，然後讀取軟件正在寫入的地址。這解釋了爲什麼非暫時性商店給予大約2倍的填充大緩衝區的性能。與使用mov填充緩衝區相比，只有一半的DRAM訪問發生。

Answer 2

流防止緩存污染的，如果目的地的地址是不是已經在緩存中，否則，它只是更新並根據需要用書面通過緩存行支持的地址的新值緩存。

在你的榜樣

所以，如果你還沒有從p讀取（或你已經從CLFLUSH緩存中清除它），流媒體商店將防止數據被寫入到其中被加載到緩存中的地址p點通過p指出，（即：無cachline的將用於寫入地址來創建）。