寫入閃存時的跟蹤地址

我的系統需要將數據存儲在EEPROM閃存中。字節串將一次寫入一個EEPROM，而不是一次連續寫入。字符串的長度可能會有所不同。我希望字符串按順序保存，而不會從最後寫入地址繼續浪費任何空間。例如，如果第一個字節的字符串被寫入地址0x00〜0x08，那麼我希望從地址0x09開始寫入第二個字節的字符串。寫入閃存時的跟蹤地址

如何實現？我發現一些EEPROM的寫命令不需要指定地址，只是從最後寫入的點開始繼續。但是我使用的EEPROM不支持。（我正在使用Spansion的S25FL1-K）。每次寫入時我都會考慮分配部分內存來跟蹤地址並存儲地址，但這可能會更快地消耗掉閃存。什麼是廣泛使用的方法來處理這種情況？

謝謝。

編輯：我問的是如何以非易失性的方式跟蹤/保存地址，以便下次寫入時，我知道要開始的地址。

來源

2016-02-25 Yun C Han

您是否閱讀過數據表？命令以地址開始，然後您可以有一個到256個字節。所以你知道你開始的地址是什麼，你知道這個字符串有多長，所以當你啓動另一個命令時，你知道你在頁面中的位置，你知道使用哪個地址。不確定你的問題是什麼。你必須預先檢查字符串長度，以確保你不超過任何限制，不論你使用的部件/頁面或spi控制器的限制是多少，你可以發送每個命令有多少字節的限制等等。所以你總是知道起始地址和長度。 –

您指定的設備是* not * EEPROM。它是一個串行NOR閃存。 –

@dwelch數據未被正確寫入。該系統通過藍牙收集數據，並在閃存空閒時寫入閃存，並確認收集的數據可以安全地寫入。之前的寫作可能會持續一段時間。就像你說的那樣，是的，我知道寫這個時刻我在頁面上的位置。我問的是如何記住這個地址，以便在下一次寫入時可以將它作爲起始地址。我不是，如果這我的解釋是清楚的.. –

我從來沒有使用過這個特殊的Flash，但我實現了類似的東西。不幸的是，如果不知道你的限制/優先級（內存或CPU高效率，寫入發生的頻率等），不可能給出明確的答案。以下是您可能需要考慮的一些技巧。我不知道它們是否被廣泛使用。

選項1：在字符串之前寫入包含字符串長度的X字節。然後在初始化時你可以解析你的閃存：讀取長度n，向前跳轉n個字節;讀下一個字節。如果它是空的（根據數據表，所有的閃光燈），那麼你得到你的第一個空位。否則，你只是讀了下一個字符串的長度，所以重複一遍。

該方法允許您快速搜索最後使用的扇區，因爲使用扇區的第一個字節保證有一個值。這裏的另一面是額外的n字節開銷（取決於字符串的最大長度），每次你寫一個字符串，並且必須解析它才能得到值（儘管這隻能在啓動時完成一次）。

選項2：除了前面加上大小，添加獨特的「結束串」序列，然後那些代表空閃光之前就啓動了最後一個序列解析。

這裏的缺點是分析時間較長，但每個字符串的開銷只有1字節長。

選項3將正是您已經想到的：分配一個單獨的扇區，將包含您需要的值。爲了減少閃存磨損，您也可以將這些值背對背寫入，並在每次啓動時搜索最後一個值。此外，您可能會考慮您設計的設備的預期使用壽命與您的閃存可以承受的100,000次擦除（再次根據數據表） - 甚至出現問題？這當然取決於數據保存的頻率。

希望有所幫助。

來源

2016-02-29 04:31:20 ZenJ

寫入閃存時的跟蹤地址

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