在嵌入式環境中（使用MSP430），我看到了由於對非易失性存儲器的部分寫入而導致的一些數據損壞。這似乎是由寫入過程中的功耗（FRAM或信息段）造成的。如何在斷電期間防止「部分寫入」數據損壞？
我使用CRC驗證存儲在這些位置的數據。
我的問題是，什麼是防止這種「部分寫入」腐敗的正確方法？目前，我修改了我的代碼以寫入兩個單獨的FRAM位置。所以，如果一個寫入被中斷導致無效的CRC，另一個位置應該保持有效。這是常見的做法嗎？我是否需要爲任何非易失性存儲器實現這種雙重寫入行爲？
一個簡單的解決方案是維護兩個版本的數據（在閃存的單獨頁面中），當前版本和以前的版本。每個版本具有包含序列號的報頭，並且確認該序列號的字 - 只需將1的例如序列號的補體：
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| seq |
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| ~seq |
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| |
| data |
| |
---------
關鍵的是，當數據被寫入所述seq和~seq字寫最後。
在啓動時你閱讀具有最高有效序列號（佔環繞也許 - 尤其是對於短序列字）的數據。當您寫入數據時，您會覆蓋並驗證最早的塊。
只要CRC寫入最後一個，您已經使用的解決方案是有效的，但它缺乏簡單性，並且可能不需要或不需要CRC計算開銷。
在FRAM上，您無需擔心耐久性，但這是閃存和EEPROM的問題。在這種情況下，我使用回寫式高速緩存方法，其中數據保存在RAM中，並且在修改時啓動或重新啓動計時器（如果計時器已經運行） - 計時器到期時寫入數據 - 這可以防止突發寫入從抖動內存開始，即使在FRAM上也很有用，因爲它最大限度地減少了數據寫入的軟件開銷。
我們的工程團隊對這些問題採取雙管齊下的方法：用硬件和軟件解決問題！
第一種是二極管和電容器配置，在欠壓時提供幾毫秒的功率。如果我們注意到我們已經失去了外部力量，我們會阻止代碼進入任何非違規寫入。其次，我們的數據對於操作來說尤其重要，它經常更新，我們不想磨損我們的非侵害閃存存儲器（它只支持很多寫操作），因此我們實際上將數據存儲在16次使用CRC碼閃爍並保護每條記錄。在啓動時，我們找到最新的有效寫入，然後開始擦除/寫入循環。
自從實施我們坦率的偏執系統以來，我們從未見過數據損壞。
更新：
我要指出，我們的閃光燈外部對我們的CPU，所以CRC可以幫助驗證數據是否有CPU和閃存芯片之間的通信故障。此外，如果我們連續發生幾次故障，多次寫入可以防止數據丟失。
對於Flash而言，多個副本很重要，但在FRAM設備上，由於它具有無限的續航能力，因此只需要兩個副本即可。即使在Flash上，根據更新模式和頻率，寫回緩存也可以滿足要求。 – Clifford
在硬件方面的好建議。不幸的是，我目前的項目太過於要求改變，但這對於未來的項目肯定是需要考慮的事情。 – schumacher574
對不起，我的經驗不足，但是通過硬件設置，當外部電源丟失時，是否會收到中斷？ – schumacher574
我們已經使用了類似於克利福德的答案，但寫在一個寫操作。你需要兩份數據並在它們之間交替。使用遞增的序列號，以便有效的一個位置具有偶數序列號，並且有一個奇數序列號。 （如果你能在一個寫命令）
寫這樣的數據：
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| seq |
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| |
| data |
| |
---------
| seq |
---------
當你讀這回確保兩個序列號都是一樣的 - 如果他們不那麼數據是無效的。在啓動時閱讀兩個位置，並計算出哪一個更近（考慮到序列號翻轉）。
總是以某種協議存儲數據，如START_BYTE，要寫入的總字節數，END BYTE。 寫入外部/內部存儲器之前，請務必檢查POWER MONITER寄存器/ ADC。 如果你的數據損壞，END字節也會損壞。因此，在整個協議驗證之後，該條目將不會變更。 校驗和不是一個好主意，如果你想在你的協議中包含CRC，你可以選擇CRC16而不是這個。
我看到如何在某些情況下使用seq和〜seq而不是CRC。但對於Flash而言，在我看來，CRC在內存塊不好的情況下會有所幫助？ – schumacher574
當然，除非寫入時由於內存塊不良而導致的寫入失敗，否則會阻止seq和〜seq被寫入，並阻止在啓動時讀取數據。 – schumacher574
在我的實現中，單獨的數據項分別驗證;重要的是單個數據項失敗並不會導致所有數據被丟棄。這裏解決的問題具體是不完全寫入檢測而不是數據損壞。如果您想要將整塊數據驗證和不完整的寫保護結合起來，那麼CRC是一條可行的路線。 – Clifford